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　　金融界 2024 年 7 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示南宫·NG28注册，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种碳化硅半导体器件及加工方法“，授权公告号 CN113745319B，申请日期为 2021 年 9 月。

　　专利摘要显示，一种碳化硅半导体器件及加工方法。提供了一种降低测试时的空气电场强度，避免打火现象的一种碳化硅半导体器件及加工方法。本发明制作的过程不增加工艺复杂度和制造成本，形成的划片道 P 区器件结构由于远离终端，反向高压甚至雪崩状态时几乎不影响器件的终端截止效率。同时，在反向加压时，尤其是加到 1000V 以上的高压时，背面电极的等势面将不在划片道表面，由于划片道 PN 结反向耗尽，其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内，划片道表面电势将被极大限度的拉低南宫·NG28下载，形成与正面加厚电极（6）之间的电势差被缩小到可以忽略的状态，因此，两者之间的电势差根本不足以激发空气电离，如此便可以避免上述打火现象的发生。